ইউনিট ৩ তড়িৎ-রসায়ন (অধ্যায়ভুক্ত প্রশ্ন-১)

উত্তর

${Mg}^{2+} \mid {Mg}$ এর প্রমাণ ইলেকট্রোড বিভবকে প্রমাণ হাইড্রোজেন ইলেকট্রোডের সাপেক্ষে পরিমাপ করা যায়, যাকে ${Pt_{(s)}}, {H_2(g)}(1 {~atm}) \mid {H_(a q)}^{+}(1 {M})$ দ্বারা সূচিত করা হয়।

একটি কোষ গঠন করা হয়, যেখানে ${Mg} \mid {MgSO_4}({aq} 1 {M})$ কে অ্যানোড এবং প্রমাণ হাইড্রোজেন ইলেকট্রোডকে ক্যাথোড হিসেবে ব্যবহৃত হয়।

$$ {Mg}\left|{Mg}^{2+}({aq}, 1 {M}) \| {H}^{+}({aq}, 1 {M})\right| {H_2}({~g}, 1 \text { bar }), {Pt{(s)}} $$

তারপর, কোষটির তড়িচ্চালক বল পরিমাপ করা হয় এবং এই পরিমাপকৃত তড়িচ্চালক বলই ম্যাগনেসিয়াম ইলেকট্রোডের প্রমাণ ইলেকট্রোড বিভব।

$\begin{array}{ll} & \mathrm{Mg}\left|\mathrm{Mg}^{2+}(1 \mathrm{M})\right|\left|\mathrm{H}^{+}(1 \mathrm{M})\right| \mathrm{H}2,(1 \mathrm{~atm}), \mathrm{Pt} \\ & \mathrm{E}{\text {cell }}^{\mathrm{o}}=\mathrm{E}{\mathrm{H}^{+}, 1 / 2 \mathrm{H}2}-\mathrm{E}{\mathrm{Mg}^{2+}, \mathrm{Mg}} \\ \text { Put } & \mathrm{E}{\mathrm{H}^{+}, 1 / 2 \mathrm{H}2}^o=0 . \\ \text { Hence, } \quad & \mathrm{E}{\mathrm{Mg}^{2+}, \mathrm{Mg}}^{\circ}=-\mathrm{E}_{\text {cell }}^o\end{array}$

উত্তর

জিংক কপারের চেয়ে বেশি বিক্রিয়াশীল। তাই, এটি নিম্নরূপে কপার সালফেট দ্রবণ থেকে কপারকে অপসারিত করে:

$$ \mathrm{Zn}(s)+\mathrm{CuSO}_4(a q) \longrightarrow \mathrm{ZnSO}_4(a q)+\mathrm{Cu}(s) $$

সুতরাং, জিংক $\mathrm{CuSO}_4$ দ্রবণের সাথে বিক্রিয়া করে। তাই, আমরা জিংকের পাত্রে কপার সালফেট দ্রবণ সংরক্ষণ করতে পারি না।

উত্তর

ফেরাস আয়নের জারণ বলতে নিম্নলিখিত বিক্রিয়াটি সংঘটিত হওয়া বোঝায়:

$$ \mathrm{Fe}^{2+} \longrightarrow \mathrm{Fe}^{3+}+e^{-} ; \mathrm{E}_{\mathrm{ox}}^{\circ}=-0.77 \mathrm{~V} $$

$\mathrm{Fe}^{2+}$ কে $\mathrm{Fe}^{3+}$ এ জারিত করতে পারে কেবল সেইসব পদার্থ যারা শক্তিশালী জারক এবং যাদের ধনাত্মক বিজারণ বিভব ০.৭৭ V এর চেয়ে বেশি, যাতে কোষ বিক্রিয়ার তড়িচ্চালক বল ধনাত্মক হয়। এটি ইলেকট্রোকেমিক্যাল শ্রেণিতে $\mathrm{Fe}^{3+} / \mathrm{Fe}^{2+}$ এর নিচে অবস্থিত মৌলগুলির জন্য প্রযোজ্য, যেমন $\mathrm{Br}_2, \mathrm{Cl}_2$ এবং $\mathrm{F}_2$।