अध्याय 14

सेमीकंडक्टर इलेक्ट्रॉनिक्स सामग्री, उपकरण और सरल परिपथ

MCQ I

~~ 14.1 तापमान के बढ़ने से, सेमीकंडक्टर की चालकता बढ़ती है क्योंकि

(a) मुक्त विद्युत वाहकों की संख्या बढ़ती है।

(b) आराम समय बढ़ता है।

(c) विद्युत वाहकों की संख्या और आराम समय दोनों बढ़ते हैं।

(d) विद्युत वाहकों की संख्या बढ़ती है, आराम समय घटता है लेकिन आराम समय की घटने की प्रभाव संख्या की वृद्धि की तुलना में कम होता है।

~~ 14.2 चित्र 14.1 में, $V_o$ पी-एन जंक्शन पर्यावरणीय बाधा है, जब जंक्शन पर कोई बैटरी नहीं जुड़ी होती है

(a) 1 और 3 दोनों जंक्शन के साथ प्रगटाव का संबंधित होता है

(b) 3 जंक्शन के प्रगटाव का संबंधित होता है और 1 जंक्शन के उलटी प्रगटाव का संबंधित होता है

(c) 1 प्रगटाव के लिए ही संबंधित होता है और 3 जंक्शन के लिए उलटी प्रगटाव का संबंधित होता है।

(d) 3 और 1 दोनों जंक्शन के लिए उलटी प्रगटाव का संबंधित होता है।

~~ 14.3 चित्र 14.2 में, द्विमुखी को आदर्श मानते हुए,

(a) $D_1$ को प्रगटाव किया जाता है और $D_2$ को उलटी प्रगटाव किया जाता है और इसलिए $A$ से $B$ की ओर वाणिज्यिक प्रवाह होती है।

(b) $D_2$ को प्रगटाव किया जाता है और $D_1$ को उलटी प्रगटाव किया जाता है और इसलिए $B$ से $A$ और उल्टी प्रवाह नहीं होती है।

(c) $D_1$ और $D_2$ दोनों प्रगटाव किए जाते हैं और इसलिए $A$ से $B$ की ओर वाणिज्यिक प्रवाह होती है।

(d) $D_1$ और $D_2$ दोनों उलटी प्रगटाव किए जाते हैं और इसलिए $A$ से $B$ और उल्टी प्रवाह होती है।

~~ 14.4 एक 220 V एसी आपूर्ति $A$ और $B$ बिंदुओं के बीच जुड़ी होती है (चित्र 14.3)। कैपेसिटर के बीच विद्युत विभिन्नता $V$ क्या होगी?

(a) $220 V$।

(b) $110 V$।

(c) $0 V$।

(d) $220 \sqrt{2} V$।

~~ 14.5 खोल होता है

(a) इलेक्ट्रॉन का एकांत-कण है।

(b) जब इलेक्ट्रॉन कोवलेंट बॉन्ड छोड़ता है तो खोल उत्पन्न होता है।

(c) मुक्त इलेक्ट्रॉनों की अनुपस्थिति है।

(d) एक कल्पित कण है।

~~ 14.6 चित्र 14.4 में दिए गए परिप्रेक्ष्य में उपकरण की उत्पादनशीलता।

(a) सभी समय में शून्य होगी।

(b) पॉजिटिव चक्रों के साथ आउटपुट में एकाधिकार स्थिति की तरह होगी।

(c) नकारात्मक चक्रों के साथ आउटपुट में एकाधिकार स्थिति की तरह होगी।

(d) पूर्ण तरंग उदारक की तरह होगी।

~~ 14.7 चित्र 14.5 में दिखाए गए परिपथ में, यदि डायोड के प्रगटाव वोल्टेज ड्रॉप $0.3 V$ है, तो $A$ और $B$ के बीच वोल्टेज अंतर क्या होगा

(a) $1.3 V$

(b) $2.3 V$

(c) $0 V$

(d) $0.5 V$

~~ 14.8 दिए गए परिप्रेक्ष्य (चित्र 14.6) के लिए सत्यता सारणी है

कंटेंट का ही संस्करण क्या है:

(a)

(b)

(c)

(d)

MCQ II

~~ 14.9 जब एक विद्युत आवेश एकाग्र किया जाता है

(a) इलेक्ट्रॉन कंडक्टन बैंड में कम energy स्तर से उच्च energy स्तर पर जाते हैं।

(b) इलेक्ट्रॉन कंडक्टन बैंड में उच्च energy स्तर से कम energy स्तर पर जाते हैं।

(c) वेलेंस बैंड में खालीज उच्च energy स्तर से कम energy स्तर पर जाते हैं।

(d) वेलेंस बैंड में खालीज कम energy स्तर से उच्च energy स्तर पर जाते हैं।

~~ 14.10 अपने बेस-इमिटर युग्म को परावर्तन धारित और कलेक्टर-बेस युग्म को प्रतिवर्तन धारित स्थिति में एनपीएन ट्रांजिस्टर को विचार करें। निम्नलिखित में से कौन-से वाक्य सही हैं?.

(a) इलेक्ट्रॉन इमिटर से कलेक्टर के लिए क्रॉसोवर होते हैं।

(b) होल बेस से कलेक्टर की ओर चले जाते हैं।

(c) इलेक्ट्रॉन इमिटर से बेस की ओर चले जाते हैं।

(d) इलेक्ट्रॉन इमिटर से बेस से बिना कलेक्टर के बाहर जाते हैं।

~~ 14.11 आरेखण 14.7 एक बेस-इमिटर इंजीनियरिंग ट्रांजिस्टर के संचार विशेषताओं को दिखाता है। निम्नलिखित में से कौन-से वाक्य सही हैं?

चित्र 14.7

(a) $V_i=0.4 V$ पर ट्रांजिस्टर सक्रिय स्थिति में होता है।

(b) $V_i=1 V$ पर इसे एक एंप्लीफायर के रूप में उपयोग किया जा सकता है।

(c) $V_i=0.5 V$ पर इसे एक स्विच के रूप में बंद किया जा सकता है।

(d) $V_i=2.5 V$ पर इसे एक स्विच के रूप में चालू किया जा सकता है।

~~ 14.12 एनपीएन ट्रांजिस्टर सर्किट में, कलेक्टर धारा $10 mA$ है। यदि पाँच हजारनेवाँ भाग के इलेक्ट्रॉन कलेक्टर तक पहुंचते हैं, तो निम्नलिखित में से कौन-से वाक्य सही हैं?

(a) निर्माता धारा $8 mA$ होगी।

(b) निर्माता धारा $10.53 mA$ होगी।

(c) बेस धारा $0.53 mA$ होगी।

(d) बेस धारा $2 mA$ होगी।

~~ 14.13 एक डायोड के निचटन क्षेत्र में

(a) कोई गतिशील चार्ज नहीं होते हैं

(b) बिजलीय और इलेक्ट्रॉन की समान संख्या होती है, जो क्षेत्र नीचा बनाने के लिए निष्पादित होती है।

(c) बिजलीय और इलेक्ट्रॉनों का पुनर्मिलन हो गया है।

(d) अचल, चार्जित आयोन मौजूद होते हैं।

~~ 14.14 जब एक जीनर डायोड के नियामन कार्य के दौरान क्या होता है?

(a) जीनर में बैरियर के द्वारा धारा और वोल्टेज रहता है।

(b) श्रृंखला संवेग $(R_s)$ में प्रवाह बदलता है।

(c) जीनर प्रतिरोध स्थिति निरंतर होती है।

(d) जीनर द्वारा प्रदान की गई प्रतिरोध बदलती है।

~~ 14.15 कैपेसिटर फ़िल्टर वाले रेक्टिफायर सर्किट में रिपल्स को कम करने के लिए

(a) $R_L$ को बढ़ा देना चाहिए।

(b) इनपुट फ़्रीक्वेंसी को कम करना चाहिए।

(c) इनपुट फ़्रीक्वेंसी को बढ़ाना चाहिए।

(d) कैपेसिटरों का उच्च क्षमता का उपयोग किया जाना चाहिए।

~~

14.16 प्रतिवर्ती घाटीकृत $p-n$ जंक्शन डायोड में टूटने का विवरण अधिक मात्रामें होता है यदि डोपिंग आकार संख्या छोटी हो तो

(अ) यदि अल्पाधिक व्यापक रूप से छोटे चार्ज पारस्परिक गति हो तो।

(ब) यदि डोपिंग आकार संख्या बड़ी हो तो अल्पाधिक चार्ज पारस्परिक गति होती है।

(स) यदि डोपिंग आकार संख्या छोटी हो तो एक खलान क्षेत्र में शक्तिशाली विद्युत क्षेत्र होती है।

(ड) यदि डोपिंग आकार संख्या बड़ी हो तो खलान क्षेत्र में शक्तिशाली विद्युत क्षेत्र होता है।

VSA

~~ 14.17 सिलिकॉन या जर्मेनियम के लिए तत्वीय डोपेंट्स आमतौर पर क्योंकि समूह XIII या समूह XV से चुने जाते हैं?

~~ 14.18 Sn, C और Si, Ge सभी समूह XIV तत्व हैं। फिर भी, Sn एक मापक है, $C$ एक असंवेदक है जबकि $Si$ और Ge प्रचारक हैं। क्यों?

~~ 14.19 क्या प्रतिबंधता क्षेत्र के माध्यम से एक पी-एन जंक्शन पर वोल्टमीटर संपर्क करके मापा जा सकता है?

~~ 14.20 रेसिस्टर के पारभाव (Fig.14.8) परिणाम आंकड़ों को बनाएं।

रेखा 14.8

~~ 14.21 एम्पलीफायर एन्वरॉडर स्थिति में कनेक्ट किए जाते हैं $X, Y$ और $Z$। यदि $X, Y$ और $Z$ का वोल्टेज गेन $10,20$ और $30$ है, मानो और इनपुट सिग्नल $1 mV$ पीक मान है, तो आउटपुट सिग्नल वोल्टेज (पीक मान)

(i) अगर डीसी आपूर्ति वोल्टेज $10 V$ है, तो क्या होगा?

(ii) अगर डीसी आपूर्ति वोल्टेज $5 V$ है, तो क्या होगा?

~~ 14.22 एक $CE$ ट्रांजिस्टर एम्पलीफायर में प्रवाह और वोल्टेज गेनेटिक इलाज संबद्ध होता है। दूसरे शब्दों में इसके साथ एक शक्ति प्राप्ति होती है। ऊर्जा का माप होने पर यह सर्किट ऊर्जा संरक्षण का उल्लंघन करता है क्या?

S.A

~~ 14.23

(a)

(b) तस्वीर 14.9

(i) वह डायोड किस प्रकार का नाम है जिसके लक्षण चित्र 14.9 (ए) और चित्र 14.9 (ब) में दिखाए गए हैं?

(ii) चित्र (ए) में बिंदु $P$ क्या प्रदर्शित करता है?

(iii) चित्र (ब) में बिंदु बिंदु $P$ और $Q$ क्या प्रदर्शित करते हैं?

~~ 14.24 तीन फोटो-डायोड D1, D2 और D3 कमीजों से बने होते हैं, जिनकी बैंड गैप $2.5 eV, 2 eV$ और $3 eV$ होती है। कौन सी प्रकाशी सि $6000 _A^{\circ}$ की लंबाई की प्रकाश को पहचान सकेंगी?

~~ 14.25 अगर रेसिस्टर $R_1$ की विरोधता बढ़ा दी जाती है (Fig. 14.10), तो अमीटर और वोल्टमीटर की पठन बदल जाएगी कैसे?

तस्वीर 14.10

~~ 14.26 दो कारों के गैरेज के पास एक साझा गेट है जो स्वचालित रूप से खुलता है जब एक गैरेज में कार प्रवेश करती है या कारों दोनों में प्रवेश करती हैं। इस स्थिति को डायोड का उपयोग करके प्रतिरूप में ढमाका इलेक्ट्रिक प्रणाली बनाएं।

~~ 14.27 ट्रांजिस्टर का उपयोग करके नॉट गेट प्राप्त करने के लिए एक सर्किट कैसे स्थापित करें?

~~ 14.28 द्रव्यमान माध्याम का उपयोग करके दृश्यमान LED बनाने के लिए क्यों नहीं किया जा सकता है?

14.29 मस्तिष्क में प्रदर्शित पाठ. 14.11 के लिए सत्यतालिका लिखें। सर्किट के नाम को भी बताएँ।

पाठ. 14.11

~~ 14.30 एक पॉवर रेटिंग $1 W$ वाला ज़ीनर को वोल्टेज रेगुलेटर के रूप में उपयोग किया जाना है। यदि ज़ीनर का विस्फोट $5 V$ है और वोल्टेज $3 V$ और $7 V$ के बीच ऊड़या जाता है, तो सुरक्षित संचालन के लिए आरएस का मान क्या होना चाहिए (पाठ. 14.12)?

पाठ. 14.12

~~ 14.31 यदि प्रत्येक डायोड का आगे की ओर जर्जमहान कोशिका $25 \Omega$ और फिर बायसेस में असीम मोटाई होती है, तो प्रवाह $I_1, I_2, I_3$ और $I_4$ के मान क्या होंगे? (आगे पाठ. 14.13 में)

पाठ. 14.13

~~ 14.32 पाठ. 14.14 में दिए गए सर्किट में, जब बेस प्रतिरोध के द्वारा प्रवेश उच्चता $10 V$ होती है, तो $V _{b e}$ शून्य होता है और $V _{ce}$ भी शून्य होता है। $I_b, I_c$ और $\beta$ के मान क्या होंगे। (पाठ. 14.14 में)

पाठ. 14.14

~~ 14.33 दिए गए गेट के संयोजन में उत्पाद संकेत $C_1$ और $C_2$ को खींचें (पाठ. 14.15 में)

~~ 14.34 प्रवेश और निकासी विशेषताओं का अध्ययन करने के लिए पाठ. 14.16 (a) में सर्किट व्यवस्था का विचार करें।

प्रदत्त कि $V _{B E}=0.7 V$ है, आपको एक ट्रांज़िस्टर के लिए $R_B$ और $R_C$ की मान चुननी होंगी ताकि सर्किट प्वाइंट $Q$ पर संचालित करती हो जैसा कि पाठ. 14.16 (b) में दिखाया गया है। यह भी दिया गया है कि ट्रांज़िस्टर की प्रवेश क्षमता बहुत ही कम है और $V _{C C}=V _{B B}=16 V$ है, सही मान मानक मानदंडों के साथ सर्किट का वोल्टेज गुण और शक्ति गुण लगाएं।

~~ 14.35 एकाल डायोड का ध्यान देते हुए, पाठ. 14.17 में दिए गए सर्किट के लिए आउटपुट आरेखण बनाएँ। आरेखण को समझाएँ।

पाठ. 14.17

~~ 14.36 मानेंगे कि एक ’ $n$ ’ प्रकार की वेफर को एसआई धातु से बनाया गया है, जिसमें $5 \times 10^{28}$ एटम $/ m^{3}$ के $1 ppm$ कंसंट्रेशन के साथ बोरॉन के $200 ppm$ वर्ग मीटर के क्षेत्र बनाया गया है। $n_i=1.5 \times 10^{16} m^{-3}$ को मानें, (i) $n & p$ क्षेत्र में चार्ज के प्रवाहणों की घनताएँ की गणना करें। (ii) जब डायोड उल्टी बायस होता है तो कौन से चार्ज के प्रवाहकारी बड़े मात्रा में योगदान देंगे, उसके बारे में टिप्पणी करें।

~~ 14.37 एक X-OR गेट की निम्नलिखित सत्यतालिका होती हैं:

कंटेंट का हाई संस्करण क्या है: | $A$ | $B$ | $Y$ | | :—: | :—: | :—: | | 0 | 0 | 0 | | 0 | 1 | 1 | | 1 | 0 | 1 | | 1 | 1 | 0 |

इसे निम्नलिखित मंत्र के रूप में प्रदर्शित किया जाता है

$ Y=\overline{A} \cdot B+A \cdot \overline{B} $

AND, OR और NOT गेट्स का उपयोग करके इसे बिल्ड करें।

~~ 14.38 एक खोल को मशीन में शोधि्त किया जाता है जैसा कि चित्र 14.18 (a) में दिखाया गया है:

चित्र 14.18 (शीर्षक)

तीन घटक, दो जर्मेनियम डायोड और एक रेजिस्टर को इन तीन टर्मिनल पर किसी आव्यवस्था में डबल क्लिक किया जाता है।

छात्र एक प्रयोग करता है जिसमें इन तीनों टर्मिनलों में से किसी दो को आपस में जोड़ा गया है जैसा कि चित्र 14.18 (b) में दिखाया गया है।

चित्र 14.18 (b)

छात्र को प्राप्त होते हैं क्षैतिज-धारा के ग्राफिक आवधारणा ज्ञात घटकों की आवयवस्था में चित्र 14.18 (c) से (h) दिखाए गए हैं।

चित्र इस प्रकार हैं:

(i) जब $A$ सकारात्मक है और $B$ नकारात्मक है

चित्र 14.18 (c)

(ii) जब $A$ नकारात्मक है और $B$ सकारात्मक है

चित्र 14.18 (d)

(iii) जब $B$ नकारात्मक है और $C$ सकारात्मक है

चित्र 14.18 (e)

(iv) जब $B$ सकारात्मक है और $C$ नकारात्मक है

चित्र 14.18 (f)

(v) जब $A$ सकारात्मक है और $C$ नकारात्मक है

चित्र 14.18 (g)

(vi) जब $A$ नकारात्मक है और $C$ सकारात्मक है

चित्र 14.18 (h)

क्षैतिज-धारा-वोल्टेज के चरित्र ग्राफिक (चित्र 14.18 (c) से (h) दिखाए गए) से, $A, B$ और $C$ के बीच घटकों की आवयवस्था निर्धारित करें।

~~ 14.39 चित्र में दिखाए गए ट्रांजिस्टर सर्किट में, $I_C=1 mA, V _{C E}=3 V, V _{B E}$ $=0.5 V$ और $V _{C C}=12 V$, $\beta=100$ दिए गए हैं, $V_E, R_B, R_E$ की मूल्यांकन करें।

चित्र 14.19

~~ 14.40 चित्र 14.20 में दिखाए गए सर्किट में $R_C$ का मान ढूंढें। चित्र 14.20

अध्याय 14

~~ 14.1 (डी)

~~ 14.2 (बी)

~~ 14.3 (बी)

~~ 14.4 (डी)

उत्पाद का हि संस्करण क्या होगा: ~~ 14.5 (बी)

~~ 14.6 (सी)

~~ 14.7** (बी)**

~~ 14.8 (सी)

~~ 14.9 (ए), (सी)

~~ 14.10 (ए), (सी)

~~ 14.11 (बी), (सी), (डी)

~~ 14.12 (बी), (सी)

~~ 14.13 (ए), (बी), (डी)

~~ 14.14 (बी), (डी)

~~ 14.15 (ए), (सी), (डी)

~~ 14.16 (ए), (डी)

~~ 14.17 डोपंट एटम का आकार पावर सेमीकंडक्टर गर्तिका संरचना को विकृत करने वाला न होना चाहिए और फिर भी $Si$ या $Ge$ के साथ $Si$ साझेदार बंधों को बनाने पर एक चार्ज कर्ता आसानी से योगदान देनी चाहिए।

~~ 14.18 $Sn$ के लिए ऊर्जा में कमी $0 eV$ है, $C$ के लिए $5.4 eV$ है, $Si$ के लिए $1.1 eV$ है और $Ge$ के लिए $0.7 eV$ है, उनके परमाणु आकार के संबंध में।

~~ 14.19 नहीं, क्योंकि व्होल्टमीटर का आर जंग आवरोही रेलेसंस के मुकाबले बहुत उच्च होना चाहिए, जो करीब अनंत होता है।

~~ 14.20

~~ 14.21 (इ) $10 \times 20 \times 30 \times 10^{-3}=6 V$

(ई) यदि आपूर्ति वोल्टेज $5 V$ होता है, तो आउटपुट पीक $V _{cc}=5 V$ से अधिक नहीं होगा।

इसलिए, $V_0=5 V$।

~~ 14.22 नहीं, वृद्धि की आवश्यक अतिरिक्त शक्ति प्राप्त होती है डीसी स्रोत से।

~~ 14.23 (इ) ZENER जंक्शन डायोड और सौर ऊर्जा सेल।

(ई) जीनर ब्रेकडाउन वोल्टेज

(ग) क्यू - शॉर्ट सर्किट वर्तमान

पी - खुले सर्किट वोल्टेज।

~~ 14.24 प्रविष्ट उज्ज्वल फोटॉन की ऊर्जा

$h v=\frac{6.6 \times 10^{-34} \times 3 \times 10^{8}}{6 \times 10^{-7} \times 1.6 \times 10^{-19}}=2.06 e V$

फोटोडिओड द्वारा पहुंच कराने के लिए प्रविष्ट विकिरण के उर्जा का बैंड गैप से अधिक होना चाहिए। यह सच केवल डी2 के लिए है। इसलिए, केवल डी2 इस विकिरण को पता लगाएगा।

~~ 14.25 $I_B=\frac{V _{B B}-V _{B E}}{R_1}$। अगर $R_1$ बढ़ाया जाता है, तो $I_B$ कम होगा। क्योंकि $I_c=\beta I_b$, इससे $I_C$ में कमी होगी, अर्थात आंमीटर और वोल्टमीटर पढ़ने में कमी होगी।

~~ 14.26

OR गेट सत्यतालिपि के अनुसार आउटपुट देता है।

~~ 14.27

~~ 14.28 तत्वीय सेमीकंडक्टर का बैंड-गैप ऐसा होता है कि प्रकाशन इंफ्रारेड क्षेत्र में होता है।

~~ 14.29 सत्यतालिपि

AND गेट

~~ 14.30 $\quad I _{Z \max }=\frac{P}{V_Z}=0.2 A=200 mA$

$R_S=\frac{V_s-V_Z}{I _{Z \max }}=\frac{2}{0.2}=10 \Omega$

~~ 14.31 $I_3$ शून्य है क्योंकि उस शाखा में डायोड प्रतिक ग्राफिक है। शाखा $AB$ और $EF$ में प्रतिरोध योग $125+25) \Omega=150 \Omega$ है।

जैसे कि $AB$ और $EF$ परालेल शाखाएं हैं, इनकी प्रभावी प्रतिरोध $\frac{150}{2}=75 \Omega$ है।

$\therefore$ परिप्रेक्ष्य में प्रतिरोध $=(75+25) \Omega=100 \Omega$।

$\therefore$ प्रवाह $I_1=\frac{5}{100}=0.05 A$।

जैसे कि $AB$ और $EF$ की प्रतिरोध समान हैं, और $I_1=I_2+I_3+I_4$, $I_3=0$

$\therefore I_2=I_4=\frac{0.05}{2}=0.025 A$

~~ 14.32 जैसे कि $V_{be}=0$, $R_b$ पर संभावित वोल्टेज गिरावट $10 V$ है।

$\therefore I_b=\frac{10}{400 \times 10^{3}}=25 \mu A$

क्योंकि $V_{ce}=0$, तो $R_c$ पर संभावित वोल्टेज गिरावट, यानी $I_c R_c$ $10 V$ है।

$\therefore I_c=\frac{10}{3 \times 10^{3}}=3.33 \times 10^{-3}=3.33 mA$।

$\therefore \beta=\frac{I_c}{I_b}=\frac{3.33 \times 10^{-3}}{25 \times 10^{-6}}=1.33 \times 10^{2}=133$।

~~ 14.33

~~ 14.34 निशानिका प्रतिरोध से, पॉइंट $Q$ पर आउटपुट विशेषता से $V_{CE}=8 V$ और $I_C=4 mA$ होता है।

$V_{CC}=I_C RC+V_{CE}$

$R_c=\frac{V_{CC}-V_{CE}}{I_C}$

$R_c=\frac{16-8}{4 \times 10^{-3}}=2 K \Omega$

क्योंकि,

$V_{BB}=I_B RB+V_{BE}$

$R_B=\frac{16-0.7}{30 \times 10^{-6}}=510 K \Omega$

अब, $\beta=\frac{I_C}{I_B}=\frac{4 \times 10^{-3}}{30 \times 10^{-6}}=133$

वोल्टेज गुण $=A_V=-\beta \frac{R_C}{R_B}$

$ \begin{aligned} & =-133 \times \frac{2 \times 10^{3}}{510 \times 10^{3}} \\ & =0.52 \end{aligned} $

शक्ति गुण $=A_p=\beta \times A_V$

$=-\beta^{2} \frac{R_C}{R_B}$

$=(133)^{2} \times \frac{2 \times 10^{3}}{510 \times 10^{3}}=69$

~~ 14.35 जब इनपुट वोल्टेज $5 V$ से अधिक होता है, तो डायोड संचालित होता है।

जब इनपुट $5 V$ से कम होता है, तो डायोड खुली सर्किट होता है।

~~ 14.36 (i) ’ $n$ ’ क्षेत्र में; As के कारण $e^{-}$ की संख्या:

$n_e=N_D=1 \times 10^{-6} \times 5 \times 10^{28}$ अणु $/ m^{3}$

$n_e=5 \times 10^{22} / m^{3}$

अल्प माइनॉरिटी पारदार्थियों (होल) को

$n_h=\frac{n_i^{2}}{n_e}=\frac{(1.5 \times 10^{16})^{2}}{5 \times 10^{22}}=\frac{2.25 \times 10^{32}}{5 \times 10^{22}}$

$n_h=0.45 \times 10 / m^{3}$

उसी प्रकार, जब बोरान में बोरन होता है, एक ‘p’ प्रकार बनता है जिसमें होल होते हैं

$n_h=N_A=200 \times 10^{-6} \times 5 \times 10^{28}$

$=1 \times 10^{25} / m^{3}$

यह ’ $n$ ’ प्रकार के वेफर पर मौजूद अणुओं की तुलना में बहुत अधिक है। जिन पर बोरान फैला था।

इसलिए, निर्मित ‘p’ क्षेत्र में परिप्रेक्ष्य की अज्ञातात्मक निर्मिती के मौजूदपरिप्रेक्ष्य माइनॉरिटी पारदार्थी

$ \begin{aligned} n_e=\frac{n_i^{2}}{n_h} & =\frac{2.25 \times 10^{32}}{1 \times 10^{25}} \\ & =2.25 \times 10^{7} / m^{3} \end{aligned} $

(ii) इस प्रकार, जब पृष्ठ ऐसे उलट प्रदर्शन संपादक पर बनाया जाता है, तो $0.45 \times 10^{10} / m^{3}$ ’ $n$ ’ क्षेत्र के होल उलट प्रतिरोधी धारा में न्यूनतम $e^{-}$ से 2.25 $\times 10^{7} / m^{3}$ माइनॉरिटी $p$ प्रकार क्षेत्र की धारा में अधिक योगदान देंगे।

~~ 14.37

~~ 14.38

वस्तुनिष्ठ प्रतिलिपि:

~~ 14.39 $I_C \approx I_E \therefore I_C(R_C+R_E)+V_{CE}=12 V$

$R_E=9-R_C=1.2 K \Omega$

उदाहरण समस्याएं-भौतिकी

$\therefore V_E=1.2 V$

$V_B=V_E+V_{BE}=1.7 V$

$I=\frac{V_B}{20 K}=0.085 mA$

$R_B=\frac{12-1.7}{I_C / \beta+0.085}=\frac{10.3}{0.01+1.085}=108 K \Omega$

~~ 14.40 $I_E=I_C+I_B \quad I_C=\beta I_B$

$I_C R_C+V_{CE}+I_E R_E=V_{CC}$

$R I_B+V_{BE}+I_E R_E=V_{CC}$

से (3) $I_e \approx I_C=\beta I_B$

$(R+\beta R_E)=V_{CC}-V_{BE}, \quad I_B=\frac{V_{CC}-V_{BE}}{R+\beta R_E}=\frac{11.5}{200} mA$

से (2)

$R_C+R_E=\frac{V_{CC}-V_{CE}}{I_C}=\frac{V_{CC}-V_{CE}}{\beta I_B}=\frac{2}{11.5}(12-3) K \Omega=1.56 K \Omega$

$R_C=1.56-1=0.56 K \Omega$